1959年福岡県生まれ。1979年早稲田大学理工学部電子通信学科入学、その後、同大学大学院をへて1989年工学博士。1989年4月、旧科学技術庁金属材料技術研究所に入所、以後、GaAs量子ドットをつかった発光素子の開発に携わる。1999年、先導研究「コンビナトリアル材料科学の創成と先端産業への展開」に参加し、三元コンビナトリアル合成法を開発し、その手法を集積回路のHigh-k材料やメタルゲートなどのゲートスタック材料開発に応用した。この技術を使ってFin型フラッシュメモリ用の材料開発やSi基板上の無極性GaN-LEDの開発をすすめた。2017年よりデータ駆動型材料開発を進め、2018年、統合型材料開発・情報基盤部門（MaDIS）材料データ科学グループ長となり現在に至る。